CIFRE : Montée en maturité des composants GaN de puissance : robustesse électrothermique H/F

2019-07-26T09:30:02.093

Key information

Electrical and mechatronics
Research, design and development
Professional, Engineer & Manager
Magny les hameaux, Ile De France, FRANCE
CIFRE, Full-time, 36mois
PhD, Doctorate
More than 3 years
English Fluent
2019-53807-75573

Job description

L'avion plus électrique est un des défis visés par les équipementiers aéronautiques avec pour objectifs une réduction du poids et du nombre de phases de maintenance de l'aéronef.
Dans ce contexte, le haut niveau de fiabilité des modules de puissance et la forte densité massique des convertisseurs de puissance sont primordiaux dans des environnements fortement contraints.
Afin de relever ces défis, il est nécessaire de se tourner vers le développement de nouvelles électroniques de puissances basées sur des nouveaux modules de puissance plus compacts et optimisés dans leur fabrication en prenant en compte les nouvelles contraintes thermomécanique et électriques.
Les composants à semi-conducteur de puissance silicium ne présentent pas les performances requises pour atteindre ces objectifs. Par contre, il s'avère que les composants à semi-conducteur de puissance grand gap tels que le en Nitrure de Gallium (GaN) et le Carbure du Silicium (SiC) présentent des maturités technologiques de plus en plus accrues permettant ainsi d'envisager ces nouvelles électroniques de puissance fortement intégrées. Cependant, il est nécessaire de bien connaitre les limites électrothermiques de ces technologies.

Au sein du pôle de recherche "Systèmes Electriques et Electroniques", la mission consiste à investiguer l'impact du court-circuit et de l'écrêtage sur l'association composant – packaging – driver, le composant étant une puce de puissance en technologie GaN, pouvant aussi être une mise en parallèle de plusieurs puces

Job requirements

Candidat possédant un niveau Bac+5 issu d'une grande école ou d'une université et des compétences en :

  • - Electronique analogique
  • - Electronique de puissance

La connaissance de la physique du composant et plus particulièrement de la technologie GaN sera appréciée.

Par ailleurs, il est demandé au candidat de :

  • - faire preuve de créativité,
  • - de posséder une grande capacité d'écoute,
  • - d'avoir la faculté de travailler en anglais

Complementary description

La pluridisciplinarité de ce projet s'appuie tant sur les compétences du groupe SAFRAN dans le domaine de la
conversion de l'énergie électrique que sur le savoir-faire du laboratoire IETR dans le domaine des
circuits de commande et du laboratoire SATIE dans le domaine de la robustesse des composants à semi-conducteur de puissance.

Une proposition d'organisation pourrait être la suivante :
1. Etude bibliographique
2. Circuit de test et Conception de coupons de test
3. Simulation et Modélisation du circuit
4. Essai de robustesse court-circuit & écrêtage
5. Fabrication et caractérisation d'un évaluateur technologique optimisé

La sélection des composants à tester a été faite en amont.

Company information

Centre de Recherche & Technologie

Safran is an international high-technology group, operating in the aircraft propulsion and equipment, space and defense markets. Safran has a global presence, with more than 92,000 employees and sales of 21 billion euros in 2018. Working alone or in partnership, Safran holds world or European leadership positions in its core markets. Safran undertakes Research & Development programs to meet fast-changing market requirements, with total R&D expenditures of around 1.5 billion euros in 2018.

Safran is ranked among the Top 100 Global Innovators by Thomson Reuters and is featured on the "Happy at work" rankings. The Group places fourth on the Universum ranking for the favorite companies of newly-qualified engineers in France.

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