CIFRE : Montée en maturité des composants GaN de puissance : robustesse électrothermique H/F

2019-07-26T09:30:02.093

Information clé

Electrique, Mécatronique
Recherche, conception et développement
Ingénieur & Cadre
Magny les hameaux, Ile De France, FRANCE
CIFRE, Temps complet, 36mois
DOCTORAT
Supérieure à 3 ans
Anglais Courant
2019-53807-75573

Description de la mission

L'avion plus électrique est un des défis visés par les équipementiers aéronautiques avec pour objectifs une réduction du poids et du nombre de phases de maintenance de l'aéronef.
Dans ce contexte, le haut niveau de fiabilité des modules de puissance et la forte densité massique des convertisseurs de puissance sont primordiaux dans des environnements fortement contraints.
Afin de relever ces défis, il est nécessaire de se tourner vers le développement de nouvelles électroniques de puissances basées sur des nouveaux modules de puissance plus compacts et optimisés dans leur fabrication en prenant en compte les nouvelles contraintes thermomécanique et électriques.
Les composants à semi-conducteur de puissance silicium ne présentent pas les performances requises pour atteindre ces objectifs. Par contre, il s'avère que les composants à semi-conducteur de puissance grand gap tels que le en Nitrure de Gallium (GaN) et le Carbure du Silicium (SiC) présentent des maturités technologiques de plus en plus accrues permettant ainsi d'envisager ces nouvelles électroniques de puissance fortement intégrées. Cependant, il est nécessaire de bien connaitre les limites électrothermiques de ces technologies.

Au sein du pôle de recherche "Systèmes Electriques et Electroniques", la mission consiste à investiguer l'impact du court-circuit et de l'écrêtage sur l'association composant – packaging – driver, le composant étant une puce de puissance en technologie GaN, pouvant aussi être une mise en parallèle de plusieurs puces

Votre profil

Candidat possédant un niveau Bac+5 issu d'une grande école ou d'une université et des compétences en :

  • - Electronique analogique
  • - Electronique de puissance

La connaissance de la physique du composant et plus particulièrement de la technologie GaN sera appréciée.

Par ailleurs, il est demandé au candidat de :

  • - faire preuve de créativité,
  • - de posséder une grande capacité d'écoute,
  • - d'avoir la faculté de travailler en anglais

Description complémentaire

La pluridisciplinarité de ce projet s'appuie tant sur les compétences du groupe SAFRAN dans le domaine de la
conversion de l'énergie électrique que sur le savoir-faire du laboratoire IETR dans le domaine des
circuits de commande et du laboratoire SATIE dans le domaine de la robustesse des composants à semi-conducteur de puissance.

Une proposition d'organisation pourrait être la suivante :
1. Etude bibliographique
2. Circuit de test et Conception de coupons de test
3. Simulation et Modélisation du circuit
4. Essai de robustesse court-circuit & écrêtage
5. Fabrication et caractérisation d'un évaluateur technologique optimisé

La sélection des composants à tester a été faite en amont.

Entité de rattachement

Centre de Recherche & Technologie

Safran est un groupe international de haute technologie opérant dans les domaines de la propulsion et des équipements aéronautiques, de l'espace et de la défense. Implanté sur tous les continents, le Groupe emploie plus de 92 000 collaborateurs pour un chiffre d'affaires de 21 milliards d'euros en 2018. Safran occupe, seul ou en partenariat, des positions de premier plan mondial ou européen sur ses marchés. Pour répondre à l'évolution des marchés, le Groupe s'engage dans des programmes de recherche et développement qui ont représenté en 2018 des dépenses totales d'environ 1,5 milliard d'euros.

Safran est classé dans le Top 100 Global Innovators de Thomson Reuters ainsi que dans le palmarès « Happy at work » des sociétés où il fait bon vivre. Le Groupe est en 4ème position du classement Universum des entreprises préférées des jeunes ingénieurs en France.

Appuyer sur Entrée pour valider ou Echap pour fermer